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TABLE 4C: Thyristor/Diode Module
Date Code
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Number
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of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
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Cycles
Size
1 MCC162-14 1816
2 MCC162-14io1 1544
3 MCC162-14io1 1629
4 MCC200-14 1717
5 MCC21-16 1821
6 MCC26-14 2035
7 MCC26-14io1 1641
8 MCC310-12io1 1545
9 MCC310-14io1 1627
10 MCC44-12io1 1540
11 MCC44-16io1 2048
12 MCC44-16io8 1864
13 MCC56-12io1 1449
14 MCC72-14io1 2007
15 MCC95-14io1 1788
16 MCD162-16io1 1884
17 MCD200-14 2010
18 MCD250/16 2059
19 MCD56-16io1 1646
20 MCO600-16io1 1680
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21 MDD26-18N1 1749
22 MDD56-16io1 1865
23 MDD56-18N1 2080
24 MDD95-22 1875
25 MDD95-16 1585
26 MDD95-18N1 1971
27 MDI300-12A4 1555
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V_F increased
V_F increased
TABLE 4D: Controller, Rectifier Bridge
Date Code
Low
High
Number
# Part Number or
Temp.
Temp.
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[°C]
Cycles
Size
1 MMO230-16 1543
2 MMO230-16iO7 1868
3 MMO74-12io6 1615
4 VBO19-16DT1 1648
5 VBO25-12nO2 1726
6 VBO25-12NO2 2005
7 VBO40-16NO6 1860
8 VBO40-16NO6 1860
9 VUB120-16 2034
10 VUB120-16NO2 1636
11 VUB72-16No1 1894
12 VUO36-12NO8 2024
13 VUO36-16 2036
14 VUO36-16nO8 1580
15 VUO80-16 1778
16 VUO82-16NO7 2085
17 VVY40-16io1 1679
18 VVZ40-14 1691
19 VW2x60-14 1443
20 VWO85-12 1570
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IXYS Semiconductor GmbH
17
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IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTQ36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube